Číslo produktu výrobce:
RN2909FE(TE85L,F)
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
RN2909FE(TE85L,F)-DG
Popis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventář:
4000 Ks Nový Originál Skladem
12891265
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
8IVc
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RN2909FE(TE85L,F) Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
47kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
22kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
100nA (ICBO)
Frekvence - přechod
200MHz
Výkon - Max
100mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
ES6
Základní číslo výrobku
RN2909
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
RN2909FE(TE85LF)TR
RN2909FE(TE85LF)DKR
RN2909FE(TE85LF)CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
RN1708,LF
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
RN1706JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
RN1601(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
