RN4901FE,LF(CT
Číslo produktu výrobce:

RN4901FE,LF(CT

Product Overview

Výrobce:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dílu:

RN4901FE,LF(CT-DG

Popis:

PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 100mW Surface Mount ES6

Inventář:

330 Ks Nový Originál Skladem
12889750
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

RN4901FE,LF(CT Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
4.7kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
4.7kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
200MHz, 250MHz
Výkon - Max
100mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
ES6
Základní číslo výrobku
RN4901

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
4,000
Další jména
RN4901FELF(CTCT
RN4901FELF(CTTR
RN4901FELF(CTDKR
RN4901FE,LF(CB

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikace
Související produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1510(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1968(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4901(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2506(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV