Číslo produktu výrobce:
RN4981FE,LF(CT
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
RN4981FE,LF(CT-DG
Popis:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventář:
4000 Ks Nový Originál Skladem
12889631
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
XHwU
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RN4981FE,LF(CT Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
4.7kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
4.7kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
250MHz, 200MHz
Výkon - Max
100mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
ES6
Základní číslo výrobku
RN4981
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
RN4981FELF(CTTR
RN4981FE(TE85LF)CT
RN4981FE(TE85LF)DKR
RN4981FE(TE85LF)DKR-DG
RN4981FELF(CBDKR
RN4981FELF(CBDKR-DG
RN4981FELF(CBCT
RN4981FE(TE85L,F)
RN4981FELF(CBCT-DG
RN4981FELF(CB
RN4981FELF(CBTR-DG
RN4981FELF(CBTR
RN4981FE(TE85LF)TR
RN4981FELF(CTCT
RN4981FELF(CTDKR
RN4981FE,LF(CB
RN4981FE(TE85LF)CT-DG
RN4981FE(TE85LF)TR-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
RN1507(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN2910FE,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4982FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
