Číslo produktu výrobce:
RN4989FE,LF(CT
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
RN4989FE,LF(CT-DG
Popis:
NPN + PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER2
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventář:
4000 Ks Nový Originál Skladem
12889205
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RN4989FE,LF(CT Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
47kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
22kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
250MHz, 200MHz
Výkon - Max
100mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
ES6
Základní číslo výrobku
RN4989
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
RN4989FELF(CTCT
RN4989FELF(CTTR
RN4989FE,LF(CB
RN4989FELF(CTDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikace
Související produkty
RN2911(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4910(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4904FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
