Číslo produktu výrobce:
SSM3J353F,LF
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
SSM3J353F,LF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
Inventář:
20293 Ks Nový Originál Skladem
12890426
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SSM3J353F,LF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
U-MOSVI
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
150mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
+20V, -25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
159 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
600mW (Ta)
Provozní teplota
150°C
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
S-Mini
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
SSM3J353
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SSM3J353FLFTR
SSM3J353F,LF(T
SSM3J353FLFDKR
SSM3J353FLFCT
SSM3J353F,LF(B
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
TPC6110(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 30V 4.5A VS-6
TPHR6503PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
TK16A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 16A TO220SIS