Číslo produktu výrobce:
SSM3K56ACT,L3F
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
SSM3K56ACT,L3F-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3
Inventář:
186823 Ks Nový Originál Skladem
12889225
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SSM3K56ACT,L3F Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
U-MOSVII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
235mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
55 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
500mW (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
CST3
Balení / pouzdro
SC-101, SOT-883
Základní číslo výrobku
SSM3K56
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
10,000
Další jména
SSM3K56ACTL3FDKR
SSM3K56ACTL3FTR
SSM3K56ACT,L3F(T
SSM3K56ACTL3FCT
SSM3K56ACT,L3F(B
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SSM6J505NU,LF
MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
SSM3J56ACT,L3F
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
SSM3K01T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
