Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
SSM6P36FE,LM
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
SSM6P36FE,LM-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 330mA 150mW Surface Mount ES6
Inventář:
3775 Ks Nový Originál Skladem
12889724
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SSM6P36FE,LM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
330mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.2nC @ 4V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
43pF @ 10V
Výkon - Max
150mW
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
ES6
Základní číslo výrobku
SSM6P36
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
SSM6P36FE
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
SSM6P36FELM(TDKR-DG
SSM6P36FELM(TTR
SSM6P36FETE85LF
SSM6P36FELM(TCT-DG
SSM6P36FELM(TDKR
SSM6P36FE(TE85LF)CT
SSM6P36FE(TE85LF)DKR-DG
SSM6P36FELM(TCT
SSM6P36FELM(TTR-DG
SSM6P36FE(TE85LF)TR-DG
SSM6P36FELMCT
SSM6P36FE(TE85LF)CT-DG
SSM6P36FE,LM(B
264-SSM6P36FE,LMDKR
SSM6P36FELMTR
SSM6P36FELMDKR
SSM6P36FELMDKR-DG
SSM6P36FE(TE85L,F)
SSM6P36FE(TE85LF)DKR
264-SSM6P36FE,LMTR
SSM6P36FE,LM(T
SSM6P36FELMCT-DG
264-SSM6P36FE,LMCT
SSM6P36FE(TE85LF)TR
SSM6P36FELMTR-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
PMDT670UPE,115
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
8459
DiGi ČÍSLO DÍLU
PMDT670UPE,115-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.07
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
EM6J1T2R
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
12037
DiGi ČÍSLO DÍLU
EM6J1T2R-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.11
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
SSM6L12TU,LF
MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.5A UF6
SSM6N7002CFU,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
SSM6P47NU,LF
MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
SSM6N15AFE,LM
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6