Číslo produktu výrobce:
T2N7002AK,LM
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
T2N7002AK,LM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventář:
611252 Ks Nový Originál Skladem
12891382
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
T2N7002AK,LM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
U-MOSVII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.9Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.35 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
17 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
320mW (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
T2N7002
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
T2N7002AKLM(BDKR-DG
T2N7002AK,LM(T
T2N7002AKLM(BTR
T2N7002AK,LM(B
T2N7002AKLM(BDKR
T2N7002AKLM(BCT-DG
T2N7002AKLM(BCT
T2N7002AKLMCT
T2N7002AKLMDKR
T2N7002AKLMTR
T2N7002AKLM(BTR-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
2SK2866(F)
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
SSM3K17SU,LF
MOSFET N-CH 50V 100MA USM
TK7A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
