Číslo produktu výrobce:
TK10A60W5,S5VX
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TK10A60W5,S5VX-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventář:
12890608
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TK10A60W5,S5VX Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tube
Řada
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
450mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 500µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
720 pF @ 300 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
30W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220SIS
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
TK10A60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
TK10A60W5S5VX
TK10A60W5,S5VX(M
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FCPF600N60Z
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
171833
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCPF600N60Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.20
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
TPN4R203NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
TK9P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
TPH2900ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
