Číslo produktu výrobce:
TK12P60W,RVQ
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TK12P60W,RVQ-DG
Popis:
MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventář:
1950 Ks Nový Originál Skladem
12891477
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TK12P60W,RVQ Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
340mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.7V @ 600µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
890 pF @ 300 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
100W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DPAK
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
TK12P60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,000
Další jména
TK12P60WRVQTR
TK12P60WRVQDKR
TK12P60WRVQCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPD60R380P6ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPD60R380P6ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.69
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STD16N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2500
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD16N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.79
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
DMN3112SSS-13
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
TK14G65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
BSS138W-7
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323
