Číslo produktu výrobce:
TK14A65W,S5X
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TK14A65W,S5X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventář:
19 Ks Nový Originál Skladem
12890663
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TK14A65W,S5X Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tube
Řada
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 690µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
40W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220SIS
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
TK14A65
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
TK14A65W,S5X-DG
TK14A65WS5X
TK14A65W,S5X(M
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FCPF260N60E
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
190
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCPF260N60E-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.76
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
SSM3J120TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
SSM3J132TU,LF
MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
TPH2R506PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
