Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
TK16G60W,RVQ
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TK16G60W,RVQ-DG
Popis:
MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventář:
994 Ks Nový Originál Skladem
12889485
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TK16G60W,RVQ Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.7V @ 790µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 300 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
130W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
TK16G60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
TK16G60W
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
TK16G60W,RVQ(S
TK16G60WRVQCT
TK16G60WRVQDKR
TK16G60WRVQTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTA24N65X2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
50
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTA24N65X2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.52
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPB60R160C6ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3347
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB60R160C6ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.71
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPB60R165CPATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3135
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB60R165CPATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.21
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
TK8A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
SSM3K301T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
TK72E08N1,S1X
MOSFET N-CH 80V 72A TO220
TK33S10N1Z,LQ
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK