Číslo produktu výrobce:
TK25N60X,S1F
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TK25N60X,S1F-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-247
Inventář:
12889157
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TK25N60X,S1F Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tube
Řada
DTMOSIV-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
25A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
125mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 1.2mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 300 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
180W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
TK25N60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
TK25N60XS1F
TK25N60X,S1F(S
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPW65R125C7XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
80
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPW65R125C7XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.31
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXFH34N65X2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
89
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFH34N65X2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.08
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
2SJ668(TE16L1,NQ)
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
2SK3309(Q)
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
TK17A80W,S4X
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS