Číslo produktu výrobce:
TK31V60W,LVQ
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TK31V60W,LVQ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Inventář:
2494 Ks Nový Originál Skladem
12890856
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TK31V60W,LVQ Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
98mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.7V @ 1.5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 300 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
240W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
4-DFN-EP (8x8)
Balení / pouzdro
4-VSFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
TK31V60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
TK31V60WLVQCT
TK31V60W,LVQ(S
TK31V60WLVQTR
TK31V60WLVQDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SSM3J129TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
TK560P60Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
TK11A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 11A TO220SIS
