Číslo produktu výrobce:
TK4R3E06PL,S1X
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TK4R3E06PL,S1X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
177 Ks Nový Originál Skladem
12890243
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TK4R3E06PL,S1X Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tube
Řada
U-MOSIX-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.2mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 500µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
48.2 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3280 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
87W (Tc)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
TK4R3E06
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
TK4R3E06PLS1X
TK4R3E06PL,S1X(S
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMG3407SSN-7
MOSFET P-CH 30V 4A SC59
TK6Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
TPCA8120,LQ(CM
MOSFET P-CH 30V 45A 8SOP
