Číslo produktu výrobce:
TK7A90E,S4X
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TK7A90E,S4X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 7A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 7A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventář:
95 Ks Nový Originál Skladem
12891322
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
KwvQ
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TK7A90E,S4X Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tube
Řada
π-MOSVIII
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
900 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 700µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
45W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220SIS
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
TK7A90
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
TK7A90E,S4X(S
TK7A90ES4X
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
TK7E80W,S1X
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
TK11A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 11A TO220SIS
SSM6J771G,LF
MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
