Číslo produktu výrobce:
TK8A10K3,S5Q
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TK8A10K3,S5Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 8A (Ta) 18W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventář:
12889463
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TK8A10K3,S5Q Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
-
Řada
U-MOSIV
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
120mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
12.9 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
18W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220SIS
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
TK8A10
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
TK8A10K3S5QM
TK8A10K3,S5Q,M
TK8A10K3S5Q
TK8A10K3S5QM-DG
TK8A10K3,S5Q(M
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TK22A10N1,S4X
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
29
DiGi ČÍSLO DÍLU
TK22A10N1,S4X-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.47
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
SSM3J304T(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
SSM3K337R,LF
MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
TK60D08J1(Q)
MOSFET N-CH 75V 60A TO220
