TPCC8105,L1Q(CM
Číslo produktu výrobce:

TPCC8105,L1Q(CM

Product Overview

Výrobce:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dílu:

TPCC8105,L1Q(CM-DG

Popis:

MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 23A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Inventář:

12942880
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
t2Mn
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

TPCC8105,L1Q(CM Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
-
Řada
U-MOSVI
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
23A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.8mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 500µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
VGS (Max)
+20V, -25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Provozní teplota
150°C
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Balení / pouzdro
8-VDFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
TPCC8105

Další informace

Standardní balíček
5,000
Další jména
264-TPCC8105L1Q(CMTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
TPCC8105,L1Q
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5000
DiGi ČÍSLO DÍLU
TPCC8105,L1Q-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.24
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
international-rectifier

IRFH8316TRPBF-IR

IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

FCH041N65F

N-CHANNEL, MOSFET

international-rectifier

IRLU3802PBF

HEXFET POWER MOSFET

onsemi

2SK3495-AZ

MOSFET N-CH