Číslo produktu výrobce:
TPCC8105,L1Q(CM
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TPCC8105,L1Q(CM-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 23A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Inventář:
12942880
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
eETI
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TPCC8105,L1Q(CM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
-
Řada
U-MOSVI
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
23A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.8mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 500µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
VGS (Max)
+20V, -25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Provozní teplota
150°C
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Balení / pouzdro
8-VDFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
TPCC8105
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
264-TPCC8105L1Q(CMTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TPCC8105,L1Q
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5000
DiGi ČÍSLO DÍLU
TPCC8105,L1Q-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.24
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFH8316TRPBF-IR
IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
FCH041N65F
N-CHANNEL, MOSFET
IRLU3802PBF
HEXFET POWER MOSFET
