Číslo produktu výrobce:
TPH14006NH,L1Q
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TPH14006NH,L1Q-DG
Popis:
MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 14A (Ta) 1.6W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventář:
12891583
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TPH14006NH,L1Q Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
14A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
14mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 200µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.6W (Ta), 32W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOP Advance (5x5)
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
TPH14006
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
TPH14006NH,L1Q(M
TPH14006NHL1QCT
TPH14006NHL1QDKR
TPH14006NHL1Q
TPH14006NHL1QTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
TK14N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
SSM6J503NU,LF
MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
TPCA8A01-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 36A 8SOP
