Číslo produktu výrobce:
TPH1R403NL,L1Q
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TPH1R403NL,L1Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 60A (Ta) 1.6W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventář:
4892 Ks Nový Originál Skladem
12890773
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
bB8k
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TPH1R403NL,L1Q Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
60A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 500µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.6W (Ta), 64W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOP Advance (5x5)
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
TPH1R403
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
TPH1R403NL,L1QTR
TPH1R403NLL1QTR
TPH1R403NLL1QDKR
TPH1R403NLL1QCT
TPH1R403NL,L1QDKR-DG
TPH1R403NL,L1QDKR
TPH1R403NL,L1Q(M
TPH1R403NL,L1QCT-DG
TPH1R403NL,L1QCT
TPH1R403NL,L1QTR-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
TK15S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
TK10A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
TPCC8005-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON