Číslo produktu výrobce:
TPH3300CNH,L1Q
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TPH3300CNH,L1Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 18A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventář:
6700 Ks Nový Originál Skladem
12890953
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TPH3300CNH,L1Q Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
150 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
18A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
33mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 300µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
10.6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 75 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.6W (Ta), 57W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOP Advance (5x5)
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
TPH3300
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
TPH3300CNHL1QCT
TPH3300CNHL1QDKR
TPH3300CNH,L1QCT-DG
TPH3300CNH,L1Q(M
TPH3300CNHL1QTR
TPH3300CNH,L1QCT
TPH3300CNH,L1QTR-DG
TPH3300CNH,L1QDKR-DG
TPH3300CNH,L1QDKR
TPH3300CNH,L1QTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
TPC8113(TE12L,Q)
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
TJ15S06M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
TPCA8036-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 38A 8SOP
