Číslo produktu výrobce:
TPH7R006PL,L1Q
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TPH7R006PL,L1Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventář:
54092 Ks Nový Originál Skladem
12890499
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TPH7R006PL,L1Q Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
U-MOSIX-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
13.5mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 200µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1875 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
81W (Tc)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOP Advance (5x5)
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
TPH7R006
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
TPH7R006PLL1QCT
TPH7R006PL,L1Q(M
TPH7R006PLL1QDKR
TPH7R006PLL1QTR
TPH7R006PLL1Q
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
TPH4R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
TK35N65W5,S1F
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
TPC8031-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
