Číslo produktu výrobce:
TPH8R008NH,L1Q
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TPH8R008NH,L1Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 34A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventář:
9870 Ks Nový Originál Skladem
12891159
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TPH8R008NH,L1Q Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
34A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 500µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.6W (Ta), 61W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOP Advance (5x5)
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
TPH8R008
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
TPH8R008NHL1Q
TPH8R008NHL1QTR
TPH8R008NH,L1Q(M
TPH8R008NHL1QDKR
TPH8R008NHL1QCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
2SK2989(TPE6,F,M)
MOSFET N-CH TO92MOD
TK380P60Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
TK55S10N1,LQ
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
