Číslo produktu výrobce:
TPW4R008NH,L1Q
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TPW4R008NH,L1Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 116A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventář:
12891256
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TPW4R008NH,L1Q Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
116A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5300 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-DSOP Advance
Balení / pouzdro
8-PowerWDFN
Základní číslo výrobku
TPW4R008
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
TPW4R008NHL1QTR
TPW4R008NHL1QCT
TPW4R008NH,L1Q(M
TPW4R008NHL1QDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
TPC8133,LQ(S
MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP
TPCC8006-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
2SJ380(F)
MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS