Číslo produktu výrobce:
UF3SC065030B7S
Product Overview
Výrobce:
Qorvo
Číslo dílu:
UF3SC065030B7S-DG
Popis:
650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 62A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventář:
2706 Ks Nový Originál Skladem
12955195
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
UF3SC065030B7S Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Qorvo
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
62A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
12V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
35mOhm @ 40A, 12V
vgs(th) (max.) @ id
6V @ 10mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 12 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
214W (Tc)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK-7
Balení / pouzdro
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
2312-UF3SC065030B7STR
2312-UF3SC065030B7SDKR
2312-UF3SC065030B7SCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
UF3C170400K3S
SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
FCP170N60
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
SSM3J356R,LXHF
AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
