IRF624SPBF

Číslo produktu výrobce:

IRF624SPBF

Product Overview

Výrobce:

Vishay Siliconix

Číslo dílu:

IRF624SPBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

Podrobný popis:

N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventář:

1814 Ks Nový Originál Skladem

12906772

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

IRF624SPBF Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

Vishay

Balení

Tube

Řada

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

250 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

4.4A (Tc)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

1.1Ohm @ 2.6A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

260 pF @ 25 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

TO-263 (D2PAK)

Balení / pouzdro

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Základní číslo výrobku

IRF624

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček

50

Další jména

*IRF624SPBF

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

vishay-siliconix

IRFR9120TRLPBF

MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK

vishay-siliconix

IRFR320TRL

MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK

vishay-siliconix

IRL510S

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRFR9220TRR

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK