IRF740ASPBF
Číslo produktu výrobce:

IRF740ASPBF

Product Overview

Výrobce:

Vishay Siliconix

Číslo dílu:

IRF740ASPBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventář:

3193 Ks Nový Originál Skladem
12910811
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

IRF740ASPBF Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
400 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
550mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1030 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IRF740

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
50
Další jména
*IRF740ASPBF

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
vishay-siliconix

IRFL9110TR

MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

vishay-siliconix

IRFR210

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

littelfuse

IXTA90N075T2

MOSFET N-CH 75V 90A TO263

vishay-siliconix

IRFU210

MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA