Číslo produktu výrobce:
IRF830BPBF-BE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
IRF830BPBF-BE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventář:
13 Ks Nový Originál Skladem
12945868
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRF830BPBF-BE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.5Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
325 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
104W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220AB
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IRF830
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
742-IRF830BPBF-BE3
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SI1424EDH-T1-BE3
MOSFET N-CH 20V 4A/4A SC70-6
IRLZ34PBF-BE3
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
SI1480DH-T1-BE3
MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
