Číslo produktu výrobce:
IRF9610S
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
IRF9610S-DG
Popis:
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 200 V 1.8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
12908877
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRF9610S Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
170 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3W (Ta), 20W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IRF9610
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
*IRF9610S
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRF9610SPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1102
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF9610SPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.73
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
IRLZ14STRR
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
IXTH36P15P
MOSFET P-CH 150V 36A TO247
IRLZ44STRL
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
