IRFB11N50APBF
Číslo produktu výrobce:

IRFB11N50APBF

Product Overview

Výrobce:

Vishay Siliconix

Číslo dílu:

IRFB11N50APBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventář:

2122 Ks Nový Originál Skladem
12869279
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

IRFB11N50APBF Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1423 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
170W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220AB
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IRFB11

Technický list a dokumenty

Technické listy
HTML Datový list
Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
50
Další jména
*IRFB11N50APBF

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
microchip-technology

TN0604N3-G

MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3

vishay-siliconix

IRF9520STRRPBF

MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK

vishay-siliconix

IRF740ASTRLPBF

MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK

vishay-siliconix

IRF740STRL

MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK