IRFBC20S
Číslo produktu výrobce:

IRFBC20S

Product Overview

Výrobce:

Vishay Siliconix

Číslo dílu:

IRFBC20S-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 2.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventář:

12869198
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

IRFBC20S Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.4Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IRFBC20

Další informace

Standardní balíček
50
Další jména
*IRFBC20S

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
IRFBC20SPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFBC20SPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.12
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
STB4NK60ZT4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4369
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB4NK60ZT4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.77
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
vishay-siliconix

IRF644NSTRL

MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK

nxp-semiconductors

BUK764R3-40B,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

vishay-siliconix

IRFR010PBF

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

vishay-siliconix

IRFBC40ASTRLPBF

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK