Číslo produktu výrobce:
IRFD110PBF
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
IRFD110PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventář:
21588 Ks Nový Originál Skladem
12910110
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFD110PBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
540mOhm @ 600mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.3W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
4-HVMDIP
Balení / pouzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Základní číslo výrobku
IRFD110
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
100
Další jména
*IRFD110PBF
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFP21N60L
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
IRLZ34
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
IRF730STRLPBF
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
