Číslo produktu výrobce:
IRFD9110
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
IRFD9110-DG
Popis:
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventář:
12910429
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFD9110 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
700mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.2Ohm @ 420mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.3W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
4-HVMDIP
Balení / pouzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Základní číslo výrobku
IRFD9110
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
*IRFD9110
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRFD9110PBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3177
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFD9110PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.56
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFIBC40GPBF
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
IXTQ98N20T
MOSFET N-CH 200V 98A TO3P
IXFA76N15T2
MOSFET N-CH 150V 76A TO263AA
