Číslo produktu výrobce:
IRFDC20PBF
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
IRFDC20PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 320mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventář:
5886 Ks Nový Originál Skladem
12908571
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFDC20PBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
320mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.4Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
4-HVMDIP
Balení / pouzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Základní číslo výrobku
IRFDC20
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
100
Další jména
*IRFDC20PBF
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IXFK120N25P
MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
IRF9630SPBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
IRFR214TRRPBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
