Číslo produktu výrobce:
IRFR210TRPBF
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
IRFR210TRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventář:
8539 Ks Nový Originál Skladem
12912569
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFR210TRPBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.5Ohm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DPAK
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IRFR210
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,000
Další jména
IRFR210PBFTR
IRFR210TRPBF-DG
*IRFR210TRPBF
IRFR210TRPBFTR-DG
IRFR210PBFDKR
IRFR210PBFCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFU9014
MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA
IRFS9N60ATRL
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
IXFK34N80
MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA
