Číslo produktu výrobce:
IRFSL31N20DTRR
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
IRFSL31N20DTRR-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventář:
12912439
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
18tr
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFSL31N20DTRR Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
31A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
82mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2370 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.1W (Ta), 200W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
I2PAK
Balení / pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základní číslo výrobku
IRFSL31
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
800
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FQI27N25TU
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
600
DiGi ČÍSLO DÍLU
FQI27N25TU-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.48
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
SI5857DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
SI1443EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
IRL640STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
