Číslo produktu výrobce:
IRFZ48PBF
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
IRFZ48PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventář:
988 Ks Nový Originál Skladem
12913814
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFZ48PBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
50A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
18mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
190W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220AB
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IRFZ48
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
*IRFZ48PBF
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SI2338DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
SI8817DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
SI3440DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
