Číslo produktu výrobce:
IRL510PBF
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
IRL510PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventář:
10779 Ks Nový Originál Skladem
12910887
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRL510PBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4V, 5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
540mOhm @ 3.4A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
VGS (Max)
±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
43W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220AB
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IRL510
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
*IRL510PBF
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRLR014TRPBF
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
IRF830L
MOSFET N-CH 500V 4.5A I2PAK
IRF634
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB