Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IRL630STRL
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
IRL630STRL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
Poptejte online
12913962
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRL630STRL Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4V, 5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
400mOhm @ 5.4A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
VGS (Max)
±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IRL630
Další informace
Standardní balíček
800
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
RCJ120N20TL
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
33
DiGi ČÍSLO DÍLU
RCJ120N20TL-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.44
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
SIHL630STRL-GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
SIHL630STRL-GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.45
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
IRL630SPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRL630SPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.00
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
IRL630STRLPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRL630STRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.02
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
IRL630STRRPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRL630STRRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.01
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFR9220TR
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
SI2333CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
IRFIZ34G
MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
IRFI740G
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220-3