Číslo produktu výrobce:
SI1072X-T1-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SI1072X-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V SC89-6
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 1.3A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventář:
12913917
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SI1072X-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
93mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
280 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
236mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SC-89 (SOT-563F)
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Základní číslo výrobku
SI1072
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SI1070X-T1-GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
923
DiGi ČÍSLO DÍLU
SI1070X-T1-GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.13
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
SSM6K202FE,LF
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
21141
DiGi ČÍSLO DÍLU
SSM6K202FE,LF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.12
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
SI4170DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
IRFR120TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
IXFK220N17T2
MOSFET N-CH 170V 220A TO264AA
