Číslo produktu výrobce:
SI1317DL-T1-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SI1317DL-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 1.4A (Tc) 500mW (Tc) Surface Mount SC-70-3
Inventář:
7217 Ks Nový Originál Skladem
12915919
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SI1317DL-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
150mOhm @ 1.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
800mV @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
272 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
500mW (Tc)
Provozní teplota
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SC-70-3
Balení / pouzdro
SC-70, SOT-323
Základní číslo výrobku
SI1317
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SI1317DL-T1-GE3DKR
SI1317DL-T1-GE3TR
SI1317DL-T1-GE3CT
SI1317DL-T1-GE3-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SI6423DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
SQP120N10-09_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
SI7862ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
