Číslo produktu výrobce:
SI2343DS-T1-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SI2343DS-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 3.1A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventář:
9367 Ks Nový Originál Skladem
12917511
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SI2343DS-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
53mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
750mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3 (TO-236)
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
SI2343
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SI2343DS-T1-GE3DKR
SI2343DS-T1-GE3TR
SI2343DS-T1-GE3CT
SI2343DS-T1-GE3-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SIS128LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
SUM18N25-165-E3
MOSFET N-CH 250V 18A TO263
BUK964R2-55B,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
