Číslo produktu výrobce:
SI3483CDV-T1-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SI3483CDV-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventář:
86569 Ks Nový Originál Skladem
12917675
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SI3483CDV-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
34mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
6-TSOP
Balení / pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základní číslo výrobku
SI3483
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SI3483CDV-T1-GE3CT
SI3483CDV-T1-GE3DKR
SI3483CDVT1GE3
SI3483CDV-T1-GE3TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SQJA84EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
SIHS36N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
SI3465DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3A 6TSOP
