Číslo produktu výrobce:
SI3981DV-T1-E3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SI3981DV-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 1.6A 800mW Surface Mount 6-TSOP
Inventář:
12913273
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SI3981DV-T1-E3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.6A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
185mOhm @ 1.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Výkon - Max
800mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Balíček zařízení dodavatele
6-TSOP
Základní číslo výrobku
SI3981
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SI3981DV-T1-E3DKR
SI3981DV-T1-E3TR
SI3981DV-T1-E3CT
SI3981DVT1E3
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SI3993CDV-T1-GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
50318
DiGi ČÍSLO DÍLU
SI3993CDV-T1-GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.13
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
FDC6306P
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4981
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDC6306P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.16
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
SI1557DH-T1-E3
MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6
SI7214DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A PPAK 1212
SI1555DL-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V/8V SC70-6