Číslo produktu výrobce:
SI4425BDY-T1-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SI4425BDY-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 8.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
2662 Ks Nový Originál Skladem
12915099
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SI4425BDY-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
12mOhm @ 11.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
SI4425
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
SI4425BDY-T1-GE3TR
SI4425BDY-T1-GE3DKR
SI4425BDY-T1-GE3CT
SI4425BDY-T1-GE3-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SI2333CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
SI4156DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
SI7113DN-T1-E3
MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
