Číslo produktu výrobce:
SI4833ADY-T1-E3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SI4833ADY-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 4.6A (Tc) 1.93W (Ta), 2.75W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
12913374
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SI4833ADY-T1-E3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
LITTLE FOOT®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
72mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
750 pF @ 15 V
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Ztrátový výkon (max.)
1.93W (Ta), 2.75W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
SI4833
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
SI4833ADYT1E3
SI4833ADY-T1-E3CT
SI4833ADY-T1-E3DKR
SI4833ADY-T1-E3TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SI4154DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
IRF9Z34STRRPBF
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
IRFPF40PBF
MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3
