Číslo produktu výrobce:
SI5908DC-T1-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SI5908DC-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventář:
27807 Ks Nový Originál Skladem
12918167
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SI5908DC-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.4A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
40mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Výkon - Max
1.1W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Balíček zařízení dodavatele
1206-8 ChipFET™
Základní číslo výrobku
SI5908
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SI5908DC-T1-GE3TR
SI5908DCT1GE3
SI5908DC-T1-GE3DKR
SI5908DC-T1-GE3CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
SI7288DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
SI7904DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212
