Číslo produktu výrobce:
SI6473DQ-T1-E3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SI6473DQ-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventář:
12919530
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SI6473DQ-T1-E3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
450mV @ 250µA (Min)
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 5 V
VGS (Max)
±8V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.08W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-TSSOP
Balení / pouzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Základní číslo výrobku
SI6473
Další informace
Standardní balíček
3,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SI4845DY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A 8SO
SI7455DP-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
SIHH27N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
