Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
SI6968BEDQ-T1-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SI6968BEDQ-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 5.2A 1W Surface Mount 8-TSSOP
Inventář:
1857 Ks Nový Originál Skladem
12959587
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SI6968BEDQ-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.2A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
22mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.6V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Výkon - Max
1W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Balíček zařízení dodavatele
8-TSSOP
Základní číslo výrobku
SI6968
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
SI6968BEDQ
Technické listy
SI6968BEDQ-T1-GE3
HTML Datový list
SI6968BEDQ-T1-GE3-DG
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SI6968BEDQ-T1-GE3TR
SI6968BEDQT1GE3
SI6968BEDQ-T1-GE3DKR
SI6968BEDQ-T1-GE3-DG
SI6968BEDQ-T1-GE3CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMN2040LTS-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2432
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN2040LTS-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.12
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
SI4946CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.2A/6.1A 8SO
SI4943BDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC
SI7872DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO8
SI7958DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO8