Číslo produktu výrobce:
SI7315DN-T1-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SI7315DN-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Podrobný popis:
P-Channel 150 V 8.9A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventář:
12603 Ks Nový Originál Skladem
12913116
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SI7315DN-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
150 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8.9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
7.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
315mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
880 pF @ 75 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Provozní teplota
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® 1212-8
Balení / pouzdro
PowerPAK® 1212-8
Základní číslo výrobku
SI7315
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SI7315DN-T1-GE3CT
SI7315DN-T1-GE3TR
SI7315DN-T1-GE3DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SI8415DB-T1-E1
MOSFET P-CH 12V 5.3A 4MICROFOOT
IRFI9540GPBF
MOSFET P-CH 100V 11A TO220-3
IRF9620SPBF
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
